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中芯国际14nm制程工艺已成熟 国产光刻机距离5nm还要很长时间

国内芯片制造技术距离5nm制程工艺还有很长的时间要走,最快也需要3-5年的时间,目前国内最优秀的芯片制造企业中芯国际,能够批量化代工生产的制程工艺也就只是14nm,距离5nm至少还差三代。

中芯国际目前是国内掌握最先进制程工艺的企业,14nm制程工艺已经非常成熟,可以大规模批量化生产。目前中芯国际正在向更先进的制程工艺迈进,提出了N+1、N+2工艺。N+1工艺相比于14nm性能提升20%、功耗降低57%、逻辑面积缩小63%,SoC面积缩小55%,之后的N+2工艺在各方面的表现会比N+1更好。

据相关人士透露,中芯国际的N+1工艺和台积电第一代7nm工艺(未采用EUV光刻机)相差无几,只不过在性能的提升上稍有欠缺,N+2工艺和台积电7nm+基本持平。此外中芯国际的N+1工艺预计在今年的第四季度批量化生产,这样一来我国距离5nm制程工艺又近了一步。

目前国内最先进的光刻机制造公司上海微电子也仅仅只能生产出90nm的光刻机,虽然有媒体称,上海微电子已经成功突破光刻机瓶颈,从90nm跨越到了28nm,2021年实现量产,但这相较于荷兰ASML公司的5nm的光刻机还是存在着很大差距。而中芯国际从荷兰ASML购买的光刻机,由于他国干预导致已经拖延两年的时间了,还是迟迟不给交付。

虽然中芯国际的N+1、N+2工艺无需EUV光刻机就能生产,但是后面的5nm、3nm是必须要有EUV光刻机的。如果中芯国际无法从荷兰ASML购买到EUV光刻机,那5nm制程工艺的实现就要难于登天了,3nm制程工艺就更不用想了。综上所述国内5nm制程工艺的突破,不仅自身的技术方案能够支持,更重要的是EUV光刻机这个重要的生产工具,两者缺一不可。

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关键词: 光刻机 中芯国际

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